- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/50 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 43/50
Brevets de cette classe: 516
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
108 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
83 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
81 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
73 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
46 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
35 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
24 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
14 |
| Applied Materials, Inc. | 20514 |
12 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
5 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
3 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1681 |
3 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
3 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
2 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 13884 |
1 |
| United Microelectronics Corp. | 4504 |
1 |
| Lam Research Corporation | 5676 |
1 |
| Autres propriétaires | 9 |