- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 43/40
Brevets de cette classe: 1644
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
1
|
11
|
114
|
309
|
321
|
342
|
312
|
243
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
626 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
218 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
188 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
184 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
117 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
48 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
39 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
35 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
31 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
22 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
17 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
13 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
12 |
| Besang, Inc. | 16 |
8 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
8 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1681 |
6 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4694 |
5 |
| Winbond Electronics Corp. | 1445 |
5 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
4 |
| Infineon Technologies LLC | 509 |
4 |
| Autres propriétaires | 54 |