- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 43/30
Brevets de cette classe: 369
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10879 |
53 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
43 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
40 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
39 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
21 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
14 |
| United Microelectronics Corp. | 4504 |
11 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
11 |
| Winbond Electronics Corp. | 1445 |
8 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
7 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1681 |
6 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
6 |
| Infineon Technologies LLC | 509 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
5 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
5 |
| Intel Corporation | 47162 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 5863 |
4 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
4 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4694 |
3 |
| Atomera Incorporated | 266 |
3 |
| Autres propriétaires | 76 |