- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H10B 43/27
Brevets de cette classe: 3286
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Samsung Electronics Co., Ltd. | 145416 |
725 |
Kioxia Corporation | 10285 |
490 |
SK Hynix Inc. | 11290 |
420 |
Micron Technology, Inc. | 26231 |
373 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2608 |
370 |
Sandisk Technologies Inc. | 4790 |
256 |
Lodestar Licensing Group LLC | 998 |
103 |
Macronix International Co., Ltd. | 2563 |
73 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42461 |
61 |
Applied Materials, Inc. | 18530 |
49 |
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2518 |
47 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11377 |
30 |
Sunrise Memory Corporation | 209 |
29 |
Sandisk Technologies LLC | 1432 |
25 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1371 |
24 |
Lam Research Corporation | 5217 |
18 |
Tokyo Electron Limited | 12645 |
17 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
17 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1382 |
15 |
Intel NDTM US LLC | 417 |
13 |
Autres propriétaires | 131 |