• Sections
  • H - Électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 43/27

Brevets de cette classe: 3286

Historique des publications depuis 10 ans

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3
18
285
787
667
1043
496
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
145416
725
Kioxia Corporation
10285
490
SK Hynix Inc.
11290
420
Micron Technology, Inc.
26231
373
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
2608
370
Sandisk Technologies Inc.
4790
256
Lodestar Licensing Group LLC
998
103
Macronix International Co., Ltd.
2563
73
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
42461
61
Applied Materials, Inc.
18530
49
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent
2518
47
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11377
30
Sunrise Memory Corporation
209
29
Sandisk Technologies LLC
1432
25
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1371
24
Lam Research Corporation
5217
18
Tokyo Electron Limited
12645
17
Monolithic 3D Inc.
308
17
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1382
15
Intel NDTM US LLC
417
13
Autres propriétaires 131