- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 43/10
Brevets de cette classe: 1421
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
9
|
117
|
348
|
279
|
442
|
236
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145416 |
332 |
| Kioxia Corporation | 10285 |
240 |
| SK Hynix Inc. | 11290 |
174 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2608 |
145 |
| Micron Technology, Inc. | 26231 |
135 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4790 |
130 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2563 |
42 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 998 |
39 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42461 |
38 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2518 |
19 |
| Sandisk Technologies LLC | 1432 |
18 |
| Sunrise Memory Corporation | 209 |
16 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
13 |
| Applied Materials, Inc. | 18530 |
11 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11377 |
8 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1382 |
6 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1371 |
6 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1730 |
4 |
| eMemory Technology Inc. | 387 |
4 |
| Winbond Electronics Corp. | 1274 |
4 |
| Autres propriétaires | 37 |