- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/20 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 41/20
Brevets de cette classe: 291
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Kioxia Corporation | 10285 |
51 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
42 |
Micron Technology, Inc. | 26231 |
28 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2608 |
26 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 145416 |
25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11377 |
23 |
SK Hynix Inc. | 11290 |
16 |
Applied Materials, Inc. | 18530 |
13 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42461 |
12 |
Macronix International Co., Ltd. | 2563 |
5 |
Lam Research Corporation | 5217 |
5 |
NEO Semiconductor, Inc. | 60 |
4 |
Chengdu PBM Technology Ltd. | 29 |
4 |
International Business Machines Corporation | 61207 |
3 |
United Microelectronics Corp. | 4252 |
3 |
Sandisk Technologies Inc. | 4790 |
3 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4927 |
3 |
Lodestar Licensing Group LLC | 998 |
3 |
Sandisk Technologies LLC | 1432 |
2 |
Besang, Inc. | 16 |
2 |
Autres propriétaires | 18 |