- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H01L 27/11582
Brevets de cette classe: 5296
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148584 |
1001 |
| Kioxia Corporation | 10453 |
889 |
| Micron Technology, Inc. | 26365 |
717 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4894 |
611 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2873 |
483 |
| SK Hynix Inc. | 11586 |
471 |
| Sandisk Technologies LLC | 1453 |
174 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2546 |
151 |
| Applied Materials, Inc. | 19087 |
83 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1080 |
67 |
| Sunrise Memory Corporation | 212 |
60 |
| Tokyo Electron Limited | 13043 |
50 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44638 |
37 |
| Intel NDTM US LLC | 450 |
36 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11507 |
30 |
| Mimirip LLC | 1421 |
30 |
| Lam Research Corporation | 5340 |
26 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
25 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1449 |
24 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1394 |
18 |
| Autres propriétaires | 313 |