• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11582

Brevets de cette classe: 5296

Historique des publications depuis 10 ans

260
644
614
850
1130
1055
509
350
68
0
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
148584
1001
Kioxia Corporation
10453
889
Micron Technology, Inc.
26365
717
Sandisk Technologies Inc.
4894
611
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
2873
483
SK Hynix Inc.
11586
471
Sandisk Technologies LLC
1453
174
Macronix International Co., Ltd.
2546
151
Applied Materials, Inc.
19087
83
Lodestar Licensing Group LLC
1080
67
Sunrise Memory Corporation
212
60
Tokyo Electron Limited
13043
50
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
44638
37
Intel NDTM US LLC
450
36
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11507
30
Mimirip LLC
1421
30
Lam Research Corporation
5340
26
Toshiba Memory Corporation
236
25
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1449
24
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1394
18
Autres propriétaires 313