- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/775 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique
Détention brevets de la classe H01L 29/775
Brevets de cette classe: 2983
Historique des publications depuis 10 ans
134
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332
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906
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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---|---|---|
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41550 |
778 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 142124 |
531 |
International Business Machines Corporation | 60597 |
427 |
Intel Corporation | 46597 |
233 |
Qualcomm Incorporated | 83550 |
59 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6439 |
53 |
IBM United Kingdom Limited | 4365 |
50 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1366 |
50 |
IMEC VZW | 1569 |
42 |
Applied Materials, Inc. | 18322 |
34 |
Socionext Inc. | 1549 |
32 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1774 |
30 |
Adeia Semiconductor Solutions LLC | 280 |
30 |
Tokyo Electron Limited | 12340 |
29 |
Tahoe Research, Ltd. | 2025 |
27 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10740 |
24 |
IBM Deutschland GmbH | 742 |
24 |
Sony Corporation | 31261 |
18 |
Huawei Technologies Co., Ltd. | 109214 |
18 |
Google LLC | 41705 |
17 |
Autres propriétaires | 477 |