• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11582

Brevets de cette classe: 5072

Historique des publications depuis 10 ans

644
614
850
1130
1052
472
204
31
1
4
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
158605
954
Kioxia Corporation
10879
858
Micron Technology, Inc.
27666
659
Sandisk Technologies Inc.
5474
599
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3375
453
SK Hynix Inc.
12611
449
Sandisk Technologies LLC
1423
174
Macronix International Co., Ltd.
2489
151
Applied Materials, Inc.
20514
82
Lodestar Licensing Group LLC
1214
66
Sunrise Memory Corporation
218
58
Tokyo Electron Limited
13884
48
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48629
34
Intel NDTM US LLC
458
32
Mimirip LLC
1373
30
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11873
28
Lam Research Corporation
5676
26
Toshiba Memory Corporation
236
25
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1681
23
Monolithic 3D Inc.
339
18
Autres propriétaires 305