- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H01L 27/11582
Brevets de cette classe: 5072
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
954 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
858 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
659 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
599 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
453 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
449 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
174 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
151 |
| Applied Materials, Inc. | 20514 |
82 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
66 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
58 |
| Tokyo Electron Limited | 13884 |
48 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
34 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
32 |
| Mimirip LLC | 1373 |
30 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
28 |
| Lam Research Corporation | 5676 |
26 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
25 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1681 |
23 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
18 |
| Autres propriétaires | 305 |