- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/1157
Brevets de cette classe: 2878
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
468 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
445 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
393 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
361 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
352 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
185 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
131 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
69 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
58 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
42 |
| Renesas Electronics Corporation | 5863 |
37 |
| Applied Materials, Inc. | 20514 |
32 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
23 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
18 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
15 |
| Tokyo Electron Limited | 13884 |
13 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1681 |
13 |
| Mimirip LLC | 1373 |
12 |
| United Microelectronics Corp. | 4504 |
10 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
10 |
| Autres propriétaires | 191 |