• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11556

Brevets de cette classe: 2841

Historique des publications depuis 10 ans

303
315
462
624
659
281
122
19
0
1
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
27666
514
Sandisk Technologies Inc.
5474
452
Samsung Electronics Co., Ltd.
158605
422
Kioxia Corporation
10879
386
SK Hynix Inc.
12611
233
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3375
192
Sandisk Technologies LLC
1423
100
Macronix International Co., Ltd.
2489
58
Applied Materials, Inc.
20514
55
Lodestar Licensing Group LLC
1214
54
Intel NDTM US LLC
458
30
Tokyo Electron Limited
13884
28
Lam Research Corporation
5676
25
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11873
24
Toshiba Memory Corporation
236
19
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48629
17
Mimirip LLC
1373
14
Soulbrain Co., Ltd.
290
11
ASM IP Holding B.V.
2419
10
Monolithic 3D Inc.
339
10
Autres propriétaires 187