- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H01L 27/11556
Brevets de cette classe: 2841
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
514 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
452 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
422 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
386 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
233 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
192 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
100 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
58 |
| Applied Materials, Inc. | 20514 |
55 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
54 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
30 |
| Tokyo Electron Limited | 13884 |
28 |
| Lam Research Corporation | 5676 |
25 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
24 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
19 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
17 |
| Mimirip LLC | 1373 |
14 |
| Soulbrain Co., Ltd. | 290 |
11 |
| ASM IP Holding B.V. | 2419 |
10 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
10 |
| Autres propriétaires | 187 |