- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/11524
Brevets de cette classe: 1819
Historique des publications depuis 10 ans
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202
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206
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146
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73
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0
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
294 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
289 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
174 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
169 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
156 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
80 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
80 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
64 |
| eMemory Technology Inc. | 409 |
40 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
35 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
30 |
| Applied Materials, Inc. | 20514 |
28 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 744 |
28 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
25 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
22 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 962 |
19 |
| Lam Research Corporation | 5676 |
13 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1730 |
12 |
| Winbond Electronics Corp. | 1445 |
11 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
11 |
| Autres propriétaires | 239 |