- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/115 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
Détention brevets de la classe H01L 27/115
Brevets de cette classe: 4483
Historique des publications depuis 10 ans
|
501
|
220
|
154
|
160
|
113
|
50
|
29
|
7
|
2
|
0
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158442 |
508 |
| Kioxia Corporation | 10856 |
413 |
| Micron Technology, Inc. | 27636 |
382 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5466 |
311 |
| SK Hynix Inc. | 12582 |
280 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11855 |
222 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2493 |
212 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
149 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
101 |
| Renesas Electronics Corporation | 5862 |
84 |
| Intel Corporation | 47178 |
73 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 741 |
67 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3357 |
61 |
| Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 25170 |
57 |
| Mimirip LLC | 1372 |
45 |
| Applied Materials, Inc. | 20467 |
43 |
| United Microelectronics Corp. | 4502 |
39 |
| Spansion LLC | 204 |
38 |
| Infineon Technologies LLC | 511 |
38 |
| Tokyo Electron Limited | 13871 |
37 |
| Autres propriétaires | 1323 |