- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 7/20 - Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p. ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente
Détention brevets de la classe G11C 7/20
Brevets de cette classe: 592
Historique des publications depuis 10 ans
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52
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36
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67
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43
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48
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48
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36
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18
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 26558 |
92 |
| SK Hynix Inc. | 11676 |
72 |
| Rambus Inc. | 2359 |
44 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149087 |
42 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46161 |
29 |
| Kioxia Corporation | 10452 |
19 |
| Qualcomm Incorporated | 87585 |
17 |
| Winbond Electronics Corp. | 1329 |
10 |
| ARM Limited | 4772 |
9 |
| Sandisk Technologies LLC | 1454 |
9 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5030 |
8 |
| MOSAID Technologies Incorporated | 518 |
8 |
| Memory Technologies LLC | 77 |
8 |
| VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd. | 287 |
8 |
| Mimirip LLC | 1416 |
8 |
| Integrated Silicon Solutions, (Cayman) Inc. | 221 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 61721 |
6 |
| Altera Corporation | 2454 |
6 |
| Silicon Motion, Inc. | 1142 |
6 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 704 |
6 |
| Autres propriétaires | 178 |