- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/16 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Détention brevets de la classe G11C 11/16
Brevets de cette classe: 5786
Historique des publications depuis 10 ans
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444
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363
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281
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147
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42549 |
544 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145630 |
459 |
| Kioxia Corporation | 10285 |
441 |
| International Business Machines Corporation | 61198 |
257 |
| Qualcomm Incorporated | 85094 |
231 |
| TDK Corporation | 6713 |
216 |
| Everspin Technologies, Inc. | 484 |
191 |
| SK Hynix Inc. | 11307 |
182 |
| Micron Technology, Inc. | 26258 |
181 |
| Intel Corporation | 46960 |
168 |
| Integrated Silicon Solutions, (Cayman) Inc. | 221 |
148 |
| Avalanche Technology, Inc. | 302 |
130 |
| United Microelectronics Corp. | 4254 |
94 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10404 |
88 |
| Tohoku University | 2776 |
86 |
| Sony Corporation | 31080 |
85 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4795 |
73 |
| Toshiba Corporation | 12326 |
69 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10418 |
62 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10928 |
57 |
| Autres propriétaires | 2024 |