- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 19/00 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
Détention brevets de la classe C30B 19/00
Brevets de cette classe: 83
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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NGK Insulators, Ltd. | 4853 |
4 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15202 |
3 |
Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4038 |
3 |
Toyoda Gosei Co., Ltd. | 1760 |
3 |
Tsinghua University | 5784 |
3 |
Mitsubishi Chemical Corporation | 4465 |
3 |
Seoul Semiconductor Co., Ltd. | 1068 |
3 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA (also trading as TOYOTA MOTOR CORPORATION) | 12910 |
3 |
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 907 |
3 |
The Regents of the University of California | 19681 |
2 |
Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 928 |
2 |
American Superconductor Corporation | 152 |
2 |
IMEC | 301 |
2 |
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | 1987 |
2 |
Osaka University | 3329 |
2 |
Quest Integrity USA, LLC | 51 |
2 |
Solar-Tectic LLC | 24 |
2 |
Sharp Kabushiki Kaisha | 18854 |
2 |
Toyota Motor Corporation | 30924 |
1 |
Hitachi Chemical Company, Ltd. | 2370 |
1 |
Autres propriétaires | 35 |